Etapa de salida RF de 360w

Con tan sólo dos transistores trabajando en paralelo se logra esta etapa de salida que provee una potencia total de 360 ​​vatios con tan sólo 40 en su entrada.

El Centro de este proyecto son dos transistores de potencia de RF de la firma Philips Semiconductors BLX15, funktsionaalne ja konfigureeritav paralleel. Las únicas tres resistencias del sistema deben ser de 10 wat y de carbón, ambos transistores deben estar debidamente disipados a fin de no sobrecalentarse.

Todas las bobinas marcadas como BI sin del tipo impresas, las cuales eesti dibujadas en la plaqueta por medio de pistas de cobre. RFC (uno en cada base) poeg choques de RF convencionales. CH es una bobina de 2 vueltas de alambre 1.5mm sobre ferriit para choques. Las bobinas L (una en cada colector) estan formadas por 3 vueltas de alambre 1.5mm sobre aire de 9mm.

El Ajuste de esta etapa se realiza de izquierda derecha, desde la entrada Hacia la salida, con carga fantasma de ser posible.

Aquí está en escala real el diseño del circuito impreso el cual debe ser de doble cara (la otra debe ser completeamente cobre) y en material epoxy.

Los Components se colocan siguiendo la siguiente guía:

Una vez armado y calibrado el módulo puede ser colocado dentro de un gabinete (preferentemente metálico). Es muy soovitav montar la fuente de alimentación en el interior del mismo gabinete a fin de minimizar la absorbción de ruidos.

Dada la potencia (en nuestro caso) decidimos dotar a la unidad de potencia de ventiladores eléctricos. El circuito se alimenta con 50 volti y 7 amprit (casi nada).

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